供应场效应管|索森美场效应管|索森美5N60参数

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功能介绍:
功率MOS*—5N60  4.5A,600V  N沟道 

       5N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性,如*快
的开关速度,*低栅电荷,*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源,
DC/DC转换器,PWM马达控制和桥式驱动电路等。 

  1、特征                        

· 4.5A,600V, RDS(on)=2.4Ω@Vgs=10V;                                                         

· *低栅电荷,典型15nC; 

·*低反向转换电容;典型6.5pF 

· 快速开关能力;            

· 增强的dV/di能力; 

· 100%雪崩击穿测试;                                         

· 封装型式:TO-220/220F 

· *大结温 150 ℃                                               

三资半导体主要优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、PR8275、*R10100、*R10200、*R10150、*R20100、*R20150、*R20200、*R30100、*R30150、*R30200.等。

产品广泛应用于:
        <1>电源类产品:开关电源(如:充电器、逆变转换、转向灯、*灯等)、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
        <2>消费电子类产品:音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
        <3>汽车电子类产品:HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车*盗器等

优势品牌:SOURC*EMI韩国索森美  MHCHXM海矽美  美国IPS   CR/西安民展微FAIRCHILD IR ST TRU*EMI FAIRCARD  POWER-RAIL PANJIT MOSPEC LT YS等
型号/规格

SSF5N60

品牌/商标

韩国索森美

封装形式

TO-220

*类别

无铅*型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

*率