场效应管SSF2N60图片|2N60设计方案|SSF2N60设计指导

主要参数: 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A）
 应用领域:
*灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器
 产品功能：
功率MOS*—2N60          2A，600V  N沟道
       2N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快
的开关速度，*低栅电荷，*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源，
DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
   1、特征
 · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；
 · *低栅电荷，典型9nC；
 ·*低反向转换电容；典型5pF
 · 快速开关能力；
 · 增强的dV/di能力；
 · 100%雪崩击穿测试；
 · 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252
 · *大结温 150 ℃
产品图片：

 
 
三资半导体主要优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、PR8275、*R10100、*R10200、*R10150、*R20100、*R20150、*R20200、*R30100、*R30150、*R30200.等。
 
优势品牌：SOURC*EMI韩国索森美  MHCHXM海矽美  美国IPS   CR/西安民展微FAIRCHILD IR ST TRU*EMI FAIRCARD  POWER-RAIL PANJIT MOSPEC LT YS等
 
地址：深圳市福田区中航路国利大厦13楼（1310）销售

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