FQPF10N60C FSC*童 货源稳定 现货*

备注：价格时常波动，请以当*格为准*

FQPF10N60C - 600V N沟道MOSFET - 飞兆半导体

描述：

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，DMOS技术。这种*的技术已*针对*大限度地减少通态电阻，提供出色的开关性能，并能承受*量脉冲雪崩和换向模式。这些器件*适用于*率开关模式电源供应器，有源功率因数校正，电子镇流器基于半桥拓扑

特点：

• ? _DS（ON） =0.64Ω（典型值）@ V _GS = 10V，I _Р= 5A
• 低栅*电荷（典型值23nC）
• 低C _RSS（典型值10pF的）
• 快速切换
• 100％的雪崩测试
• 改进dv / dt能力
• *D能力得到*
• *合RoHS标准
• 
• 备注：价格时常波动，请以当*格为准
  封装外形

  CHIP/小型片状

  型号/规格

  FQPF10N60C

  材料

  GE-N-FET锗N沟道

  用途

  MOS-ARR/陈列组件

  品牌/商标

  Federick美国

  沟道类型

  P沟道

  种类

  *缘栅(MOSFET)

  导电方式

  增强型

  • 恒泰柯功率MOSFET

  • 电力场效应晶体管

  • 低压mosfet

  • mosfet场效应管

  • 大量现货FSC HGTG30N60A G30N60

  • 达林顿功率管FSC*童FGA25N120ANTDTU FGA15N120ANTDTU FQA13N