NXP晶体管BC856B

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深圳亿赛博电子有限公司供应NXP晶体管BC856B 在*原装正品的前提一下,价格比较有优势 有大量11年份的库存。以下是BC856B的基本参数。

名称: BC856B 

材料: Si 

结构: pnp 

*大耗散功率 (Pc): 200mW 

集电* -- 基*击穿电压 (Ucb): 80V 

集电* -- 发射*击穿电压 (Uce): 60V 

发射* -- 基*击穿电压 (Ueb): 6V 

*大集电*电流 (Ic max): 100mA 

*高结温 (Tj): 150°C 

特征频率 (ft): 300MHz 

集电*电容 (Cc), Pf: 6 

直流电流增益 (hFE), min/max: 290MIN 

制造商: PHILIPS 

案例: SOT23 

型号/规格

BC856B

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT23

*类别

无铅*型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

频率特性

*性

PNP型