北京供应原装*英飞凌IGBT单管 IGW60T120

地区:北京 北京市
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北京中天亚旭电子有限公司

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一、IGBT单管 IGW60T120主要技术参数

• Best in cl* TO247
• Short circuit withstand time – 10μs
• Designed for :
- Frequency Converters
- Uninterrupted Power Supply
• Trench and Fields* technology for 1200 V applications offers :
- very tight parameter distribution
- high ruggedness, temperature stable behavior
• NPT technology offers easy parallel switching capability due to
positive temperature coefficient in VCE(sat)
• Low EMI
• Low Gate Charge

 

二、IGBT单管 IGW60T120实物拍摄


IGBT单管 IGW60T120

IGBT单管 IGW60T120

IGBT单管 IGW60T120

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封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

IGW60T120

材料

N-FET硅N沟道

用途

A/宽频带放大

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型