TSD5N50M,韩国信安TRU*EMI

地区:广东 深圳
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品名封装电压(V)电流(A)备注
TSP640MTO-220200V18现货
TSP740MTO-220400V10现货
TSP830MTO-220500V4.5现货
TSD5N50MTO-2524.5现货
TSP840MTO-2208现货
TSA20N50MTO-*20现货
TSA24N50MTO-*24现货
TSU2N60MTO-251600V2现货
TSD2N60MTO-2522现货
TSF2N60MTO-220F2现货
TSD4N60MTO-2524.5现货
TSF4N60MTO-220F4现货
TSF5N60MTO-220F4.5现货
TSP5N60MTO-2204.5现货
TSF7N60MTO-220F7现货
TSF8N60MTO-220F8现货
TSP8N60MTO-2208现货
TSF10N60MTO-220F10现货
TSP10N60MTO-22010现货
TSF12N60MTO-220F12现货
TSP12N60MTO-22012现货
TSF5N65MTO-220F650V4.5现货
TSF8N65MTO-220F7.5现货
TSF10N65MTO-220F10现货
TSF12N65MTO-220F12现货
TSP50N06MTO-22060V50现货
TSF3N80MTO-220F800V3现货
TSF7N80MTO-220F7现货
TSA9N90MTO-*900V9现货

 

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封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

TSD5N50M

材料

N-FET硅N沟道

用途

SW-REG/开关电源

品牌/商标

TRU*EMI

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型