彩色LED大屏

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彩色LED大屏相关知识：

彩色LED大屏表面粘着型led的出现是在1980年初，是因应更小型封装和工厂自动化而生。初期厂商裹足不前，主要因素是表面粘着LED*早面临的问题是无法完成高温*下焊锡回流的步骤。LED的比热较IC低，温度升高时不*会造成亮度下降，且*过摄氏100度时将加速组件的劣化。LED封装时使用的树脂会吸收水分，这些水分子*汽化时，会使原封装树脂产生裂缝，影响产品效益。在1990年初，HP和Siemens Component Group合作开发长分子键聚合物，作为表面粘着型LED配合取放机器的设计，表面粘着型LED到此才算正式登场。

LED　Light Emitting Diode。发光二*管。

LED为通电时可发光的电子组件，是半导体材料制成的发光组件，材料使用III- V族化学元素（如：磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等），彩色LED大屏发光原理是将电能转换为光，也就是对化合物半导体施加电流，透过电子与电洞的结合，过剩的能量会以光的形式释出，达成发光的效果，属于冷性发光，寿命长达十万小时以上。LED*大的特点在于：无须暖灯时间(idling time)、反应速度很快(约在10^-9秒)、体积小、用电省、污染低、适合量产，具高*度，容易配合应用上的需要制成*小或数组式的组件，适用范围颇广，如汽车、通讯产业、计算机、交通号志、显示器等。

LED又可以分成上、中、下游。从上游到下游，产品在外观上差距相当大。上游是由磊芯片形成，这种磊芯片长相大概是一个直径六到八公分宽的圆形，厚度相当薄，彩色LED大屏就像是一个平面金属一样。LED发光颜色与亮度由磊晶材料决定，且磊晶占LED制造成本70%左右，对LED产业*为重要。上游磊晶制程顺序为：单芯片(III-V族基板)、结构设计、结晶成长、材料特性/厚度测量。

彩色LED大屏中游厂商就是将这些芯片加以切割，形成为上万个晶粒。依照芯片的大小，可以切割为二万到四万个晶粒。这些晶粒长得像沙滩上的沙子一样，通常用*胶带固定之后，再送到下游厂商作封装处理。中游晶粒制程顺序为：磊芯片、金属膜蒸镀、光罩、蚀刻、热处理、切割、崩裂、测量。而，下游封装顺序为：晶粒、固晶、粘着、打线、树脂封装、长烤、镀锡、剪脚、测试。

国内主要的LED生产厂商有：鼎元、光磊、国联、亿光等企业。彩色LED大屏

*发光二*管　*Light Emitting Diode。

主要以GaAs系列材料发展为主，通常以LPE液相磊晶法的方法制作，发光波长从850~940不等。

GaP　磷化镓。

彩色LED大屏磷化镓，是Ⅲ-Ⅴ族（三五族）元素化合的化合物。GaP是一种间接迁移型半导体，具有低电流、*率的发光特性，可发光范围函盖红色至黄绿色，为LED主要使用材料之一。

GaN　氮化镓。

氮化镓，是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。GaN使MOVPE制作技术，可制作高亮度纯蓝光LED及纯绿光LED，更可应用于蓝光、绿光雷射二*管之制作。MOVPE虽已是一成熟的磊晶制作技术，但以此技术制作GaN蓝光LED其中仍须相当的*知识、经验和技巧

AlInGaP　磷化铝铟镓。彩色LED大屏