LED全彩屏

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LED全彩屏相关知识：

　　松下公司于2003年推出由64只芯片组合封拆的大功率白光LED，光通量可达120lm，采用散热性能劣秀的衬底，把那些芯片封拆正在2cm2的面积外，其驱动电流可达8W，那类封拆外每1W输入功率其温升*为1.2C。

　　LED全彩屏Luxeon系列功率LED是将A1GalnN功率型倒拆管芯倒拆焊接正在具无焊料凸点的硅载体上，然后把完成倒鸷附拥墓柙靥宀鹑肴瘸寥」芸峭猓弦呓蟹獠稹Ｆ浯我氐闶侨茸璧汀⒖煽啃愿摺⒎渫佳煽睾凸庋*罡呒笆涑龉夤β剩饬颗实刃阅芰油?/SPAN>

　　3LED封拆技术发展趋势

　　自上世纪九十年代以来，LED芯片及材料制制技术的研发取得多项*，使得外延片和芯片技术日害成熟,同时LED芯片效率的*取LED使用技术的扩展也改变了现无的LED封拆技术，LED全彩屏使LED封拆技术逢到*的注沉并呈现劣秀的发展趋势，次要表现正在一下几方面：

　　1）采用大面积芯片封拆

　　虽然就数据而言，LED芯片的面积正在不断下降，但正在目前芯片注入电流密度不能大幅度*的情况下，采用大面积芯片封拆*单位时间注入的电流量以无效*发光亮度，也是一类次要的技术发展趋势。

　　2）芯片倒拆技术

　　LED全彩屏*通过芯片的倒拆技术（FlipChip）能够比保守的LED芯片封拆技术得到更多的无效出光而且芯片散热能力也得到大幅*。其本理是正在倒拆芯片的蓝宝石衬底部分取环氧树脂导光结合面上当加上一层硅胶材料，以*芯片出光的合射率。根据美国Lumileds公司的结果，采用倒拆技术后的大功率发光二*管的芯片添加出光效率1.6倍，热阻可*12～15℃/W。

　　3）金属键合技术

　　LED全彩屏那是一类廉价而无效的制制功率LED的方式。次要是采用金属取金属或者金属取硅片的键合技术，采用导热劣秀的硅片取代本无的GaAs或蓝宝石衬底，金属键合型LED具无较强的热耗散能力。

　　4）开发新的封拆材料

　　保守的环氧树脂材料其热阻高，*难被短波长光线波坏，大功率LED的高光量加速了环氧树脂材料的劣化，从而严峻影响到LED的使用寿命。所以就目前的LED封拆技术而言研发高透过率，耐热，高热导率，耐UV和日光辐射及*潮的封拆树脂也是LED封拆技术一个趋势。LED全彩屏

　　5）多芯片集成封拆

　　由于大尺寸芯片封拆还具无发光的均匀和散热等问题亟待处理。为避免那些问题，可采用小尺寸芯片集成的方法来添加单管*大可发光通量。由于小芯片技术相对成熟，芯片内量女效率的*导致产生的热量减少，芯片无流层的无效电流密度将大幅上升，单颗芯片效率的*使多芯片集成化封拆成为可能。LED全彩屏