原装场效应SPA11N60C3

SPA11N60C3，采用TO-220F封装方式。

晶体管*性:N
漏*电流, Id *大值:11A
电压, Vds *大:650V
开态电阻, Rds(on):0.38ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs *高:20V
功耗:33W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-220F
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)

功率, Pd:033W
封装类型:TO-220F
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:650V
电压, Vds 典型值:650V
电流, Id 连续:11A
电流, Idm 脉冲:33A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V

型号/规格

SPA11N60C3

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

TO-220F

*类别

无铅*型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特性

*率

频率特性

中频

*性

PNP型

供应原装场效应SPA11N60C3