APM2701CG
地区：广东 深圳
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无
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产品属性
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| RDS(ON) Max (T*)(mΩ) | |||||||||||||
| Part_No | Package | Configuration | BV (V) | VGS (V) | Vt (V) | Vg_10v | Vg_4.5v | Vg_2.5v | Vg_1.8v | Qg (Vg=4.5V) T*-nC | ID (A) | Application | Status |
| APM2701CG | JSOT-6 | Complementary N P | 20/-20 | &plu*n;10(*D)/&plu*n;10(*D) | 0.6/-0.6 | - | 70(50)/190(145) | 110(90)/235(180) | - | 5/ 4 | 3/-1.5 | * | Now |
| Portable | |||||||||||||
| Buck | |||||||||||||
| APM2704CG | JSOT-6 | Complementary N P | 20/-20 | &plu*n;10(*D)/&plu*n;10(*D) | 0.6/-0.6 | - | 38(30)/70(56) | 55(40)/115(85) | 105(67)/250(135) | 10/ 8 | 4/-3 | * | Now |
| Portable | |||||||||||||
| Buck | |||||||||||||
| APM2702CG | JSOT-6 | P Level Shift N | -1 | &plu*n;8/&plu*n;8(*D) | -0.7/- | - | 60(45)/- | 85(60)/- | 150(82)/- | - | -3/- | Cellular phone | Now |
| Portable | |||||||||||||
ANPEC茂达
APM2701CG、APM2704CG、APM2702CG
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
