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IRFS3307PBF

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 NTD20P06LT4G 型号/规格 NTD20P06LT4G
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 V/前置(输入级)
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 0（V） 夹断电压 0（V）
低频跨导 0（μS） *间电容 0（pF）
低频噪声系数 0（dB） *大漏*电流 0（mA）
*大耗散功率 0（mW）

品牌

NTD20P06LT4G

型号

NTD20P06LT4G