IRFS3207ZTRR

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期新华尔电子商行

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品牌/商标 NTD20N06T4G 型号/规格 NTD20N06T4G
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件
封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 GaAS-FET砷化镓
开启电压 0(V) 夹断电压 0(V)
低频跨导 0(μS) *间电容 0(pF)
低频噪声系数 0(dB) *大漏*电流 0(mA)
*大耗散功率 0(mW)

品牌

NTD20N06T4G

型号

NTD20N06T4G