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产品属性
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数据列表 IRFD110
产品相片 IRFD9010PBF
标准包装 2,500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 1A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 540 毫欧 @ 600mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 8.3nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 180pF @ 25V
功率 - *大 1.3W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP(0.300", 7.62mm)
供应商设备封装 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
包装 管件
其它名称 *IRFD110PBF
IR/国际整流器
IRFD110PBF IRFD110
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
100(V)
10(V)
10(μS)
180(pF)
10(dB)
1(mA)
1.3(mW)
mosfet场效应管
恒泰柯功率MOSFET
低压mosfet
电力场效应晶体管
原装现货长期供应IR场效应管IRFP250NPBF IRFP250MPBF IRFP250N
LL2703 IRLL2703TR IRLL2703TRPBF IR场效应管 30V5.5A *全
IRF540NPBF IRF540N IRF540 33A100V140W N-MOS IR*原装
FR4105 IRFR4105 IRFR4105PBF IR 场效应管 55V 25A **
IRFP440 IRFP440PBF IR场效应管TO247 *原装
IR 全系列 场效应管(MOSFET) IRFBC30 IRFBC30PBF