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产品属性
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数据列表 IRFR/U120NPbF
产品相片 DPAK_369D−01
产品目录绘图 IR Hexfet IPAK
标准包装 1,125
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 9.4A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 210 毫欧 @ 5.6A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 330pF @ 25V
功率 - *大 48W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装 I-Pak
包装 管件
其它名称 *IRFU120NPBF
IR/国际整流器
IRFU120NPBF IRFU120N IRFU120 FU120N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
100(V)
10(V)
25(μS)
330(pF)
5(dB)
9.4(mA)
48(mW)
恒泰柯功率MOSFET
mosfet场效应管
低压mosfet
mosfet型号
IRF1324 IRF1324PBF IR场效应管 *原装TOA24V300W
K10A60D/TK10A60D 600V10A45W TO220场效应管 TOSHIBA **
IR 全系列 场效应管 MOSFET IRFZ34N IRFZ34 IRFZ34NPBF
IRF644PBF IRF644- IR场效应管 MOSFET N 250V 14A 原装
IR MOS场效应管 IRFR3910TRPBF IRFR3910TR IRFR3910 *原装
L2505S IRL2505S IRL2505SPBF IR 场效应管 55V 104A **