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IRFZ24N

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 IR 型号/规格 IRFZ24N
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 L/功率放大
封装外形 CHIP/小型片状 材料 GaAS-FET砷化镓
开启电压 80（V） 夹断电压 8（V）
跨导 8（μS） *间电容 8（pF）
低频噪声系数 8（dB） *大漏*电流 8（mA）
*大耗散功率 8（mW）

品牌

IR

型号

IRFZ24N