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场效应MOS管2SK3262 K3262

地区：广东 汕头
认证： 无

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 K3262：20A 200V45W



品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

K3262

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

6（V）

夹断电压

200（V）

*间电容

23（pF）

低频噪声系数

4（dB）

漏*电流

20（mA）

耗散功率

45（mW）