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封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

k1117

材料

GaAS-FET砷化镓

用途

A/宽频带放大

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型