10N60 SSP10N60 STP10N60

地区:广东 汕头
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品牌/商标 *童,三星,ST 型号/规格 10N60金属封装
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 5(V) 夹断电压 600(V)
低频跨导 22(μS) *间电容 222(pF)
低频噪声系数 222(dB) *大漏*电流 10A(mA)
*大耗散功率 150W(mW)

品牌

*童,三星,ST

型号

10N60金属封装