| 品牌/商标 |
INFINEON/英飞凌 |
型号/规格 |
F30U20DN |
| 种类 |
结型(JFET) |
沟道类型 |
N沟道 |
| 导电方式 |
耗尽型 |
用途 |
MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 |
CHIP/小型片状 |
材料 |
P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 |
D（V） |
夹断电压 |
A（V） |
| 跨导 |
S（μS） |
*间电容 |
Z（pF） |
| 低频噪声系数 |
FG（dB） |
*大漏*电流 |
D（mA） |
| *大耗散功率 |
Z（mW） |
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