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场效应管-电子元器件-2S*029

地区：广东 广州
认证： 无

李智

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品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2S*029
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 500（V） 夹断电压 500（V）
*间电容 2600（pF） 低频噪声系数 0.001（dB）
*大漏*电流 0.5（mA） *大耗散功率 1900（mW）

品牌

TOS日本东芝

型号

2S*029