P6010DSG,台湾尼克森NIKOSEM 代理

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品牌

NIKOSEM

型号

P6010DSG

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

3(V)

夹断电压

20(V)

跨导

10(μS)

*间电容

111(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)