HFP2N65 韩国SEMIHOW代理,深圳现货

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品牌

其他

型号

HFP2N65

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

DC/直流

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

M*金属半导体

开启电压

25(V)

夹断电压

650(V)

跨导

12(μS)

*间电容

12(pF)

低频噪声系数

32(dB)

漏*电流

12(mA)

耗散功率

1(mW)