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产品属性
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IRF840
数据列表IRF840PBF
Packaging Information
产品相片TO-220-3, TO-220AB
标准包装1,000
类别分离式半导体产品
家庭FET -单
系列-
FET型MOSFET N通道,金属氧化物
FET特点标准型
漏*至源*电压(Vdss) 500V
电流-连续漏*(Id) @ 25°C 8A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25°C 850毫欧@ 4.8A, 10V
Id时的Vgs(th)(*大)4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V
输入电容(Ciss) @ Vds 1300pF @ 25V
功率-*大125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
包装管件
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N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
125
直插型
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
IRF840
CER-DIP/陶瓷直插
IR/国际整流器
A/宽频带放大
N沟道
增强型