MOS管 三*管 场效应AO6601L AO6601

地区:广东 深圳
认证:

深圳市广鑫世纪电子有限公司

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数据列表 AO6601
 
产品相片 6-TSOP
 
其它图纸  AO6xxx Series 6-TSOP Top
AO6xxx Series 6-TSOP End
AO6xxx Series 6-TSOP Side
 
标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 阵列 
系列 -
FET 型 N 和 P 沟道
 
FET 特点 逻辑电平门
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 60 毫欧 @ 3A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 30V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 3.4A, 2.3A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 1.4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 4.34nC @ 4.5V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  390pF @ 15V
 
功率 - *大 1.15W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 6-TSOP
 
供应商设备封装 6-TSOP
 
包装 带卷 (TR)
 

品牌/型号

AOS/AO6601L

应用范围

功率

*性

N/P型

封装形式

贴片型