IRF7862TRPBF 功率MOS管 DC转Dc芯片 专营IR芯片

地区:广东 深圳
认证:

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FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 21A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 3.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 45nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 4090pF @ 15V
功率 - *大值 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO
包装 带卷 (TR)

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材料

GE-N-FET锗N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRF7862TRPBF

封装外形

SMD(SO)/表面封装

处理信号

模拟信号

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

FM/调频

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

封装

SOP-8