MOS管 三*管 场效应 IRFB4710PBF IRFB4710

地区:广东 深圳
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数据列表 IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF
 
产品相片 TO-220AB PKG
 
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 45A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 100V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 75A
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5.5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  6160pF @ 25V
 
功率 - *大 3.8W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件