MOS管 三*管 场效应 IRFB17N20D IRFB17N20 IRFB17N20D-ND

数据列表 IRFB17N20D, IRFS(L)17N20D
 
产品相片 TO-220AB PKG
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 170 毫欧 @ 9.8A, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 200V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 16A
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 5.5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 50nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1100pF @ 25V
 
功率 - *大 3.8W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
其它名称 *IRFB17N20D