晶体管N*C143TPDXV6T1 N*C143TPDXV6 N*C143TPDXV6T1G

数据列表 N*C114EPDXV6T1,5 Series
 
产品相片 SOT-563-6_463A
 
产品变化通告 Wire Bond Change 01/Dec/2010
 
产品目录绘图 Transistor SOT-563 Pkg
 
标准包装 4,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列 -
晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
 
电流 - 集电* (Ic)（*大） 100mA
 
电压 - 集电*发射*击穿（*大） 50V
 
电阻器 - 基* (R1)（欧） 4.7K
 
电阻器 - 发射* (R2)（欧） -
 
在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) 160 @ 5mA, 10V
 
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（*大） 250mV @ 300µA, 10mA
 
电流 - 集电*截止（*大） 500nA
 
频率 - 转换 -
 
功率 - *大 500mW
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 SOT-563
 
供应商设备封装 SOT-563
 
包装 带卷 (TR)
 
其它名称 N*C143TPDXV6T1GOS
N*C143TPDXV6T1GOS-ND
N*C143TPDXV6T1GOSTR