共漏*N沟MOSFET：MEM2308FG场效应管

MEM2308FG系列共漏*N沟道增强型功率场效应管,采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度工艺*适用于减小导通电阻。MEM2308FG使用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。