共漏*N沟MOSFET：MEM2316M6G场效应

MEM2316M6G系列共漏*N沟道增强型功率场效应管，采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺*适用于减小导通电阻。MEM2316M6G使用于抵押应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他的电池电源电路。