热卖IXTH24N50

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品牌/商标

IXY美国电报半导体

型号/规格

IXTH24N50

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

低频噪声系数

12

*间电容

12

漏*电流

12