功率场效应晶体管

10N60数据表
10A，600V N沟道功率MOSFET
 
说明

  10N60是一种高电压，高电流功率MOSFET，
设计成具有更好的特性，如快速切换时间，低
栅*电荷，低通态电阻，具有较高的崎岖雪崩
的特点。这通常用在*功率MOSFET
开关电源的应用，PWM马达控制，高
*的DC-DC转换器和桥电路。
  
特点
 
* RDS（ON）=0.8Ω@ VGS= 10V
*低栅*电荷（典型44nC的）
*低Crss（典型18 pF）
*快速开关
* 100％的雪崩测试
*改进dv / dt能力