FQPF8N60 *童 600V的N沟道MOSFET 场效应管/MOS-FET

FQP8N60C/FQPF8N60C
600V的N沟道MOSFET
一般描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用了飞兆半导体的专有聮，
平面条形，DMOS技术。
这种*的技术，*是针对已
*大限度地减少通态电阻，提供出色的开关
性能，经受住了在*量脉冲
雪崩和减刑模式。这些器件*
适合高效率开关模式电源供应器，
有源功率因数校正，电子镇流器
基于半桥拓扑。
特点
声7.5A，600V的，的RDS（on）= 1.2惟@的VGS=10伏
声低栅*电荷（典型值28北卡罗来纳州）
声低Crss（典型值12pF）的
声快速开关
声100％雪崩测试
声改进的DV/dt的能力

ST*原装正品货
（二、三*管）1N4148、1/2W稳压管、1W稳压管、STPR1620、STPR1640、STPR1660、STPS2045*、STPS10S100*、STPS20S100*、L7805CV、L7806CV、L7808CV、L7809CV、L7812CV、L7815CV、L7824CV、L7905CV、L7908CV、L7912CV、L7915CV、L78L05ACZ、TIP122、TIP127、TIP142、TIP147、TYN412、TYN612、TIP35C、TIP36C、TL431A、BUL38D、BUL128A、L6561、L6562、L6569、MJE3055T、MJE2955T
（可控硅）BTB04-600SL、BTA06-600C、BTA08-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA26-600B、BTA41-600B
（集成电路IC）LM324、LM358、LM393、LM339、NE555、NE556等
（场效应管）STP3NK60、STP4NK60、STP6NK60、STP9NK60、STP60NK06、STP75NF75
2N5551YBU         FSC
KSC1008-Y/O       FSC
2SK30A-GR         TOS
STP60NF06         ST
TIP35C/36C        ST
2SK2608           TOS
2SK3562           TOS
BT151-5OOR        NXP
2SC2570A          瑞萨
AT41511           惠普
HS0038B.          VISHAHY    本公司经营电子元器件代理、分销业务已有十二年，主要经营二*管、TVS管、三*管、场效应管、IGBT、可控硅、三端稳压、集成电路、电容、电阻等元器件。其中主要代理、分销FAIRCHILD、EIC、ST、FUJI、ON、KEC、PHILIPS、IR等*品牌。