FQPF4N90C 场效应管 /MOS-FET

FQP4N90C/FQPF4N90C
900V的N沟道MOSFET
一般描述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，
平面条形，DMOS技术。
这种*的技术，*是针对已
*大限度地减少通态电阻，提供出色的开关
性能，经受住了在*量脉冲
雪崩和减刑模式。这些器件*
适用于高效率开关模式电源。
特点
•第4A，900V的，的RDS（on）=4.2Ω@的VGS=10伏
•低栅*电荷（典型17nC）
•低Crss（典型值5.6pF）的
•快速切换
•100％雪崩测试
•改进的dv /dt的能力