供应场效应管（功率MOSFET）TSP8N60M

品牌:TRU*EMI 型号:TSP8N60M 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2~4（V） *间电容:参见详细说明（pF） *大漏*电流:参见详细说明（mA） *大耗散功率:参见详细说明（mW）

该产品部分相关参数如下：

VDSS（漏源反向电压Drain to Source Voltage）：600 V(Min.)
ID（连续漏*电流Continuous Drain Current）: 7.5 A (@TC = 25°C)

Ptot（耗散功率Total Power Dissipation）: 165 W（TC=25℃）

*间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz)：

Ciss（输入电容Input Capacitance）：1255 pF(T*.)

Coss （输出电容Output Capacitance）：115 pF(T*.)
Crss（反馈电容Reverse Transfer Capacitance）：14.2 pF(T*.)

Qg(低栅电荷Low gate charge): 30 nC(T*.)

RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 1.0 Ω(Max.)

主要应用：各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。

以上价格为*税价！

产品详细资料欢迎来电索取，本公司还提*品应用技术支持！

本公司主营各类电子器件，主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。

产品品种有：PWM控制器、场效应管、二*管、三*管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。

欢迎来电洽谈。