供应场效应管(功率MOSFET)TSP8N60M

地区:江苏 南京
认证:

南京利瑞科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌:TRU*EMI 型号:TSP8N60M 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:SP/*外形 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:2~4(V) *间电容:参见详细说明(pF) *大漏*电流:参见详细说明(mA) *大耗散功率:参见详细说明(mW)

该产品部分相关参数如下:

VDSS(漏源反向电压Drain to Source Voltage):600 V(Min.)
ID(连续漏*电流Continuous Drain Current: 7.5 A (@TC = 25°C)

Ptot(耗散功率Total Power Dissipation: 165 WTC=25℃

*间电容(VGS=0 V, VDS=25V, f= 1MHz)

Ciss(输入电容Input Capacitance):1255 pF(T*.)

Coss (输出电容Output Capacitance):115 pF(T*.)
Crss
(反馈电容Reverse Transfer Capacitance):14.2 pF(T*.)

Qg(低栅电荷Low gate charge): 30 nC(T*.)

RDS(on)(低导通电阻Low RDS(on)): 1.0 Ω(Max.)

主要应用:各类充电器、适配器、DC/DC转换器等电源方面的应用。

以上价格为*税价

产品详细资料欢迎来电索取,本公司还提*品应用技术支持

本公司主营各类电子器件,主要产品目前大多集中在开关电源应用方面。

产品品种有:PWM控制器、场效应管、二*管、三*管、基准源、光耦、放大器、DC-DC转换控制器。

欢迎来电洽谈。