现货供应IR原装*MOS管IRFB61N15D

1.概念:
　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.

2.特点:

 　　具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、*工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双*型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.

3.作用:

　　场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻*很高,因此耦合电容可以容量较小,不*使用电解电容器. 　　场效应管可以用作电子开关. 　　场效应管很高的输入阻**适合作阻*变换.常用于多级放大器的输入级作阻*变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
4.场效应管的分类:
　　场效应管分结型、*缘栅型(MOS)两大类 　　按沟道材料:结型和*缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 　　按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,*缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.
5.场效应管的主要参数:
　　Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型*缘栅场效应管中,栅*电压UGS=0时的漏源电流. 　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型*缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅*电压. 　　Ut — 开启电压.是指增强型*缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅*电压. 　　gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏*电流ID的控制能力,即漏*电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. 　　BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS*时,场效应管正常工作所能承受的*大漏源电压.这是一项*限参数,加在场效应管上的工作电压*须小于BVDS. 　　PDSM — *大耗散功率,也是一项*限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的*大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有*余量. 　　IDSM — *大漏源电流.是一项*限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的*大电流.场效应管的工作电流不应*过IDSM。