场效应管IPB022N04LG
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INFINEON/英飞凌/IPB022N04LG
*缘栅MOSFET
MOS-FBM/全桥组件
SMDSO/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
N沟道
耗尽型