场效应管SPB160N04S2-03
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infineon/SPB160N04S2-03
GE-N-FET锗N沟道
24(dB)
SMDSO/表面封装
7600(pF)
40(V)
40(V)
24(μS)
MOS-FBM/全桥组件
*缘栅MOSFET
6000(mW)
5000(mA)
增强型
N沟道