场效应管STD40N2LH5

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品牌/型号

ST意法半导体/STD40N2LH5

种类

*缘栅MOSFET

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMDSO/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

30(V)

跨导

24(μS)

*间电容

500(pF)

低频噪声系数

24(dB)

漏*电流

24(mA)

耗散功率

24(mW)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型