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场效应管STB200N4F3

地区：广东 广州
认证： 无

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品牌/型号

ST意法半导体/STB200N4F3

种类

*缘栅MOSFET

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMDSO/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

30（V）

跨导

24（μS）

*间电容

500（pF）

低频噪声系数

24（dB）

漏*电流

24（mA）

耗散功率

24（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型