场效应管IPA057N08N3G
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INFINEON/英飞凌/IPA057N08N3G
*缘栅MOSFET
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
8080（V）
24（μS）
5600（pF）
24（dB）
500（mA）
600（mW）
N沟道
增强型
