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ST意法半导体/STB60NF06
*缘栅MOSFET
MOS-FBM/全桥组件
SMDSO/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
30(V)
24(μS)
500(pF)
24(dB)
24(mA)
24(mW)
N沟道
耗尽型
恒泰柯功率MOSFET
低压mosfet
mosfet型号
mosfet场效应管
场效应管IPB19N06L3G
场效应管NTD5867NL
场效应管IPD040N03LG
场效应管IPB054N08N3G
场效应管NTB6413AN
场效应管STD25NF10LA
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