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场效应管|增强型MOS管N沟道，MIP3E3SMY

地区：广东 汕头
认证： 无

王钟禄

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品牌/商标 NEC 型号/规格 MIP3E3SMY
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 0（V） 夹断电压 0（V）
低频跨导 0（μS） *间电容 0（pF）
低频噪声系数 0（dB） *大漏*电流 0（mA）
*大耗散功率 0（mW）

供应一系列三*管

2*920
2*921
2*922
2*923
2*924
2*925
2*926
2*956
2*761
2*511
2*903
2*765
2*762
2*553
2*1091
2*870
2*871
2*872
2*873
2*874
2*875
2*876
2*877
2*834
2*1087
品牌

NEC

型号

MIP3E3SMY