场效应管2SK1199
地区：广东 汕头
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无
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产品属性
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| 品牌/商标 | 日立 | 型号/规格 | 2SK1199 |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | *间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | *大漏*电流 | 0（mA） |
| *大耗散功率 | 0（mW） |
供应一系列三*管
| 2SK894 | TOSHIBA |
| 2SK896 | TOSHIBA |
| 2SK897 | 富士通 |
| 2SK899 | FUJI |
| 富士通 | N/A |
| 2SK901 | FUJI |
| 2SK902 | FUJI |
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| 2SK903 | 富士通 |
| 2SK904 | FUJI |
| 2SK904 | 富士通 |
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| 2SK949 | FUJI |
| 2SK950 | FUJI |
| 2SK951 | FUJI |
| 2SK952 | FUJI |
日立
2SK1199
