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场效应管2SK1985

地区：广东 汕头
认证： 无

王钟禄

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品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK1985
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 0（V） 夹断电压 0（V）
低频跨导 0（μS） *间电容 0（pF）
低频噪声系数 0（dB） *大漏*电流 0（mA）
*大耗散功率 0（mW）

品牌

富士通

型号

2SK1985