*率MOS场效应三*管2SK1101

地区:广东 汕头
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王钟禄

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品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK1101
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 DC/直流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
跨导 1(μS) *间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) *大漏*电流 1(mA)
*大耗散功率 1(mW)