IRF9540 原装*IR P沟道功率MOS管

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRF9540
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	P沟道
导电方式	增强型	封装外形	P-DIT/塑料双列直插
材料	P-FET硅P沟道	开启电压	-100（V）
夹断电压	0（V）	跨导	0.1（μS）
*间电容	1（pF）	低频噪声系数	1（dB）
大漏电流	1（mA）	*大耗散功率	1（mW）

IRF9540 概述

　　IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF9540采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF9540这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF9540成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF9540普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF9540得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF9540适用于贴片安装，其特性包括：150℃的结点工作温度、快速转换速率以及增强的可恢复性雪崩击穿等级。TO-262是IRF9540的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF9540 参数
IRF9540 基本参数
VDSS		-100 V
ID @25℃		-23 A
RDS(on) Max		117.0 mΩ
IRF9540 其他特性
FET*性		P型沟道
Qg T*		64.7 nC
IRF9540 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF9540 特性

· *的工艺技术

· 贴片安装 - IRF9540NS

· 低端通孔安装 - IRF9540NL

· *导通阻*

· 动态dv/dt率

· 工作温度

o 170℃ - IRF9540N

o 150℃ - IRF9540NS、IRF9540NL

· 快速转换速率

· P型沟道

· 可恢复性雪崩击穿可达Tjmax

· 无铅*

产品简介

IRF9540N，Single P-Channe HEXFET Power MOSFET, -100V, -23A, 117.0 mOhm, 64.7 nC Qg, TO-220AB

型号标识 / 参数

IRF9540N型号标识及主要参数：

IRF9540N 型号标识
IRF9540N	基本型号
IRF9540N 主要参数
VDSS	-100 V
ID @25℃	-23 A
RDS(on) Max	117.0 mΩ
Qg T*	64.7 nC

封装信息

IRF9540N封装信息：
类型：TO-220AB
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF9540N包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF9540NL，Single P-Channe HEXFET Power MOSFET, -100V, -23A, 117.0 mOhm, 64.7 nC Qg, TO-262

型号标识 / 参数

IRF9540NL型号标识及主要参数：

IRF9540NL 型号标识
IRF9540N	基本型号
L	封装类型，TO-262
IRF9540NL 主要参数
VDSS	-100 V
ID @25℃	-23 A
RDS(on) Max	117.0 mΩ
Qg T*	64.7 nC

封装信息

IRF9540NL封装信息：
类型：TO-262
引脚：3 直引脚

包装规格

IRF9540NL包装规格：
类型：Tube（管装）
每管：50 pcs

产品简介

IRF9540NS，Single P-Channe HEXFET Power MOSFET, -100V, -23A, 117.0 mOhm, 64.7 nC Qg, D2-Pak

型号标识 / 参数

IRF9540NS型号标识及主要参数：

IRF9540NS 型号标识
IRF9540N	基本型号
S	封装类型，TO-263
IRF9540NS 主要参数
VDSS	-100 V
ID @25℃	-23 A
RDS(on) Max	117.0 mΩ
Qg T*	64.7 nC

封装信息

IRF9540NS封装信息：
类型：TO-263(D2-Pak)
引脚：2 leads + tab

包装规格

IRF9540NS包装规格：
类型一：Tube（管装）
每管：50 pcs
类型二：Tape&Reel（卷带装）
每盘：800 pcs