场效应管 MOS管 FQPF10N60 TO-220F *童新货

品牌/商标	FAIRCHILD/*童	型号/规格	FQPF10N60
种类	结型(JFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	耗尽型	用途	MAP/匹配对管
封装外形	CHIP/小型片状	材料	GaAS-FET砷化镓
开启电压	1（V）	夹断电压	1（V）
跨导	1（μS）	*间电容	1（pF）
低频噪声系数	1（dB）	大漏电流	1（mA）
*大耗散功率	1（mW）

FQPF10N60(CS2N60F)                    N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管
用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge ,low crss, fast switching.

*限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

电性能参数/Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数*号
Symbol
测试条件
Test Conditions
*小值
Min
典型值
T*
*大值
Max
单位
Unit
BVDSS VGS=0V      ID=250μA 600      V
VDS=600V    VGS=0V      1.0 μA
IDSS
VDS=480V    TC=125℃      100 μA
IGSS VGS=&plu*n;30V   VDS=0V      &plu*n;0.1 μA
VGS(th) VDS=VGS      ID=250μA 2.0    4.0 V
RDS(on) VGS=10V     ID=1.0A    4.0 5.0 Ω
gFS VDS=40V     ID=1.0A    2.05    S
VSD VGS=0V      IS=2.0A      1.4 V
Ciss    320 420 pF
Coss    35 46 pF
Crss
VDS=25V VGS=0V f=1.0MHz
4.5 6.0 pF
td(on)    8.0 30 ns
tr    23 60 ns
td(off)    25 60 ns
tf
VDD=300V ID=2.0A RG=25Ω
28 70 ns
参数*号
Symbol
数值
Rating
单位
Unit
VDSS 600 V
ID(Tc=25℃) 2.0 A
ID(Tc=100℃) 1.3 A
IDM 6.0 A
VGSS &plu*n;30 V
EAS 120 mJ
EAR 5.4 mJ
IAR 2.0    A
PD(Tc=25℃) 23 W
TJ,TSTG -55 to 150 ℃

场效应管 MOS管 FQPF10N60 TO-220F *童 新货

场效应管 MOS管 FQPF10N60 TO-220F *童新货