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IXYS/艾赛斯
IXEH40N120D1
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HI-IMP/高输入阻*
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
1200(V)
1(μS)
1(pF)
1(dB)
1(mA)
1(mW)
低压mosfet
mosfet引脚
mosfet场效应管
电力场效应晶体管
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