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IXYS/场效应管（FET)/IXFN38N100Q2

地区：上海 上海市
认证： 无

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IXFN38N100Q2

漏*电流(Id): 38A 漏源饱和电压（Vdss）: 1000V

  • 货　　号：IXFN38N100Q2
  • 品　　牌：IXYS(艾赛斯)
  • 计量单位：只
  • 漏源电阻(Rds)： 0.25Ω

技术规格书（PDF）

 

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型号/规格

IXFN38N100Q2

品牌/商标

IXYS/艾赛斯

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型